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充放电过程中的结构演变近日，源年世南开大学李福军研究员团队在P2-NaxMnO2的碱金属层中引入具有较大离子半径的K+，源年世可实现更具热力学倾向的Na+空穴，不仅可以减小过渡金属层的相对位移，减少充/放电反应过程中的可逆相变（仅P2↔P2相变），而且使更多的Na+可以参与脱/嵌反应。更重要的是，源数回收的电极材料经过活化处理，电化学性能恢复良好，从而实现了电极材料的反复循环再利用。
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目前报道的O3-和P2-NaxMnO2正极材料层间距较窄、源年世晶格容易发生畸变，导致循环性能和倍率性能较差，难以满足应用需求。
目前主要通过在层中引入与过渡金属离子半径相近金属离子（如Fe、源数Co、Ni、Li、Al等）稳定材料结构，但仍难实现高储钠容量和稳定性之间的平衡。这些方法可以有效地获取分子尺度的局部信息，成果或者为实验研究无法直接解释的新实验发现提供清晰的解释。
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